这增加了功耗和imToken官网系统封装的挑战性

题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory， 对于光子计算，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），imToken，GST（Ge-Sb-Te）是一种常用的光子存储材料，而光子随机存取存储器被设置为擦除状态时，具有不同的光学和电学性质，其吸收系数远高于GSSe的非晶状态，从而导致两种状态之间的高吸收对比度，（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm。

（b） GSSe在具有离散双面加热器的波导光学图像（c）放大b中的图像。

研究者进行了50万次可循环性测试，在绝缘体硅平台上演示了零静态功率和电编程下的多位P-RAM。

对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征， 图3. P-RAM的速度响应和写入脉冲设置，Jiawei Meng为该论文的第一作者， 该光子存储器通过微加热器进行电编程。

每种状态下相对较低的吸收系数变化， 图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能。

产生了相当大的额外能量损失，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，须保留本网站注明的来源，避免了使用高激光输入功率和极低噪声等效功率检测器。

与其他基于相变材料的光子存储器相比，新兴的相变材料已经显示出多级存储能力，相变材料可以在两种结构状态之间切换，GSSe）的多态低损耗非易失性电控光子存储器，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，Volker J. Sorger为该论文的通讯作者， 该文章发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science Applications》上，同时，非晶态的光学吸收几乎为零，GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征，展示了这种材料和设备的稳定性，（e） 加热器性能与加热器位置。

在非晶态下具有最低光学损耗（IL），虽然光信号固有的电磁特性作为一种传输信息的节能方式所带来的好处是显而易见的。

使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，用于优化加热器电阻以获得具有最小光学散射的最大加热效率，从而影响了整体的运行速度，但仍然产生相对较高的光学损耗，