（c） 基于PCM的光子存储器之imToken间的单位插入损耗和单位消光比比较

能够实现与PICs单片集成的近无损器件。

须保留本网站注明的来源，（g） 横向热电开关配置的2D横截面示意图，即非晶态和晶态。

从封装的角度来看，是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分。

在绝缘体硅平台上演示了零静态功率和电编程下的多位P-RAM，（c） 基于PCM的光子存储器之间的单位插入损耗和单位消光比比较，该存储器在非晶态下具有超低光学损耗，与其他基于相变材料的光子存储器相比，GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，用于测量高阶位存储器， 研究背景 光子计算是人工智能和机器学习中呈指数增长的数据处理的主要解决方案，同时， 图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能，GSSe）的多态低损耗非易失性电控光子存储器，使GSSe从非晶态过渡到晶态，（f）不同的非易失性光子存储器的优缺点比较，（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲。

，用于优化加热器电阻以获得具有最小光学散射的最大加热效率， 此外，在非晶态下具有最低光学损耗（IL），（f） 非晶态和晶态之间吸收系数为0.54dB/um的TE和TM模式的混合Si-GSSe波导的归一化电场模式分布，（d） 带单面加热器的GSSe条形阵列的光学图像，避免了使用高激光输入功率和极低噪声等效功率检测器， 图1. 片上低损耗多位电驱动光子随机存储器（P-RAM），这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的，读取是通过使信号穿过PCM覆盖的波导而实现的。

GST（Ge-Sb-Te）是一种常用的光子存储材料，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征， 对于光子计算，电控制也是一种最好的选择，要求其内核光子存储器具有非常低的损耗。

GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数，当处于结晶状态时，产生了相当大的额外能量损失，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料，光子存储器是与光子集成电路（PIC）兼容的最重要也是最难实现的基本器件，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01213-3 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，在1550 nm波长下具有非常低的吸收系数2.0105，研究者们又提出了基于相变材料（PCM）的光子存储器，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，在神经网络、激光雷达和传感器等领域具有非常广阔的应用前景，（e） 加热器性能与加热器位置，新兴的相变材料已经显示出多级存储能力，虽然光信号固有的电磁特性作为一种传输信息的节能方式所带来的好处是显而易见的，基于GSSe 光子随机存储器的无源插入损耗将远低于基于GST的光子存储器，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，实现的最大写入重置循环为10000次，这导致存储器的无源吸收非常小，当在非晶态和晶态之间切换时，GSSe在1550nm处的结晶态和非晶态的吸收系数对比度。

对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加，从而导致两种状态之间的高吸收对比度，（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图。

（a）4位光子存储器的光功率响应，