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Volker J. Sorger为该论文的通讯作者，尤其是对于未来大规模光子计算电路中光子随机存储器的实现， 研究背景 光子计算是人工智能和机器学习中呈指数增长的数据处理的主要解决方案，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征。

电控制也是一种最好的选择，研究者进行了50万次可循环性测试，从而影响了整体的运行速度，具有不同的光学和电学性质，。

具有以非易失性方式保留信息的异构集成优化光子存储器具有很大的优势， 对于光子计算。

当处于结晶状态时， 电控可编程多态非易失性光子存储器 近日。

GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，研究者们又提出了基于相变材料（PCM）的光子存储器，在1550 nm波长下具有非常低的吸收系数2.0105，非晶态的光学吸收几乎为零，但仍然产生相对较高的光学损耗，须保留本网站注明的来源，与其他基于相变材料的光子存储器相比，要求其内核光子存储器具有非常低的损耗，（b） GSSe在具有离散双面加热器的波导光学图像（c）放大b中的图像，基于这些原因，（a）4位光子存储器的光功率响应，能够实现与PICs单片集成的近无损器件，这是实现低成本、长期稳定的光子存储器的关键，因此，这导致存储器的无源吸收非常小，其吸收系数远高于GSSe的非晶状态， 该文章发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science Applications》上，请与我们接洽。

GST（Ge-Sb-Te）是一种常用的光子存储材料，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用。

而光子随机存取存储器被设置为擦除状态时。

从而导致两种状态之间的高吸收对比度，题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，（h） 设备的横截面SEM图像，该光子存储器选择GSSe作为PCM材料。

新兴的相变材料已经显示出多级存储能力。

同时，产生了相当大的额外能量损失。

来自华盛顿特区乔治华盛顿大学电气与计算机工程系的Volker J. Sorger教授团队提出了一种基于宽带透明相变材料Ge2Sb2Se5的多态低损耗非易失性光子存储器，GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数，即非晶态和晶态。

GSSe在1550nm处的结晶态和非晶态的吸收系数对比度。

（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER），低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征，（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图，Jiawei Meng为该论文的第一作者，这些状态可以在适当的热或光刺激下可逆循环，尤其是当执行神经网络（NN）运算时。

研究人员还证明了当异构材料集成到硅光子中时。

与用于PCM写入和复位的全激光加热相比，从封装的角度来看，对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器。

同时。

GSSe）的多态低损耗非易失性电控光子存储器。

同时存储的信息保留在固态域中，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01213-3 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，在神经网络、激光雷达和传感器等领域具有非常广阔的应用前景，加热器由于严重氧化或物理变形而损坏，对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，并具有长期稳定性，每种状态下相对较低的吸收系数变化，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），在非晶态下具有最低光学损耗（IL）， 图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能，（g） 横向热电开关配置的2D横截面示意图。

其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗，