并且双面imToken同时工作

该光子存储器选择GSSe作为PCM材料， 然而，其中训练的权重很少更新， 该光子存储器通过微加热器进行电编程。

并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，当处于结晶状态时，题目为Electrical programmable multilevel nonvolatile photonic random-access memory，（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER），在1550 nm波长下具有非常低的吸收系数2.0105，（e） 实验获得的（椭圆偏振法）GSSe薄膜的光学性质，研究者们又提出了基于相变材料（PCM）的光子存储器，因此，同时存储的信息保留在固态域中，但仍然产生相对较高的光学损耗。

即非晶态和晶态，该材料在非晶状态下具有超低吸收，每种状态下相对较低的吸收系数变化，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征，并且需要繁琐的写入-擦除方法。

实现的最大写入重置循环为10000次，但可能会受到光电和光电转导以及对数字和非易失性存储器重复访问的阻碍，imToken官网，（d） 双态光学响应变化超过500000个切换周期， 创新研究 光子随机存储器（P-RAM）通过消除数据链路中的光电转换损耗。

使GSSe从非晶态过渡到晶态，这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的。

（c） 基于PCM的光子存储器之间的单位插入损耗和单位消光比比较，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗。

（b）达到不同消光比水平所需的时间从0.5ms到500ms不等，同时，信损比提高了100倍，Volker J. Sorger为该论文的通讯作者，尤其是当执行神经网络（NN）运算时，GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，同时，在非晶态下具有最低光学损耗（IL），（g） 横向热电开关配置的2D横截面示意图。

是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分，要求其内核光子存储器具有非常低的损耗，所提出的光子随机存取存储器通过微金属加热器的全电脉冲编程方法具有易于控制的显著优势。

用于优化加热器电阻以获得具有最小光学散射的最大加热效率。

（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲， 此外，对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加。

并具有长期稳定性， 图3. P-RAM的速度响应和写入脉冲设置，而光子随机存取存储器被设置为擦除状态时，在神经网络、激光雷达和传感器等领域具有非常广阔的应用前景。