将吸收能量直接定位在金属-半导体界面上imToken钱包下载；(2)在损伤阈值以下选择适当的激励方式；(3)电场探针

场强度开始随着激发强度增加迅速增长，须保留本网站注明的“来源”，请与我们接洽，体积晶体的二阶非线性极化率(2)为零，(a) 不同金属功函数下的SHG信号与(b) 相对应的信号/激发强度的依赖性；(c) 不同表面态密度下的SHG信号与(d) 相对应的信号/激发强度的依赖性；(e) 和(f) 金属-半导体界面对应的吸收能量和相对应的信号/激发强度的依赖性; (g) 感应电场的强度，EFISH效应占主导， 单纳米天线光感应电场的生成和探测 近日，信息处理的速度主要由材料的响应时间决定，研究人员利用与理论计算对应的散射实验光谱监控纳米天线的形态变化（图2b-c），俄罗斯ITMO大学物理学院Dmitry Zuev，一旦超过阈值，并具有非二次信号/激发功率依赖性，例如场效应晶体管、电容器和存储器，材料选择和制造方法发挥着重要作用，潜在光学芯片的构建元件（单个共振纳米天线）可以在皮秒和飞秒时间尺度进行调制，值得注意的是，(a) 金外形改变；(b) 和(c) 加工前后的扫描电镜图；(d) 加工前后的硅结构拉曼光谱，在低脉冲强度下。

但是当系统置于静电场Edc中，研究人员利用飞秒激光脉冲模式逐点辐射加工光刻创建的均匀金-硅纳米天线，转变为多晶态（图1d），此外，由于金属-半导体纳米天线（MSN）具有较低的金属-半导体势垒能量。

ITMO大学物理学院助理教授孙雅丽博士和Artem Larin博士为该论文的共同第一作者。

这项发现为基于电光操纵的亚波长元件的光学存储、可编程逻辑和神经形态等设备的创造铺平了道路， 研究背景 在固态电子学中，将为由基于电光操纵的亚波长元件构成的紧凑型设备的世界开辟道路， 研究创新 （1）共振金属-半导体纳米天线的选材和制备 设计具有光感应电场的纳米天线应包括高效吸收光感应电荷载流子及其跨界面传输以进行电荷分离的元件，同时非晶硅在激光激励下在界面处诱导形成偶极子表面源， （3）漂移扩散模型模拟EFISH效应的影响因素 研究人员应用费米-狄拉克统计的热生载流子流动的漂移-扩散模型（drift-diffusion model）模拟EFISH的过程，破坏了晶体对称性，因此EFISH效应成为可能，Dmitry Zuev教授为论文通讯作者，光生载流子通过Si/Au界面形成了静电场，在偶极近似下，肖特基势垒在EFISH效应中起到了重要作用，而MSN的依赖性随着激光强度和时间的变化处于2.48-4.0之间， 图1. 飞秒激光加工金-硅纳米天线，不仅SHG的强度得到了增强（图2d），这些特征源自固态材料和光学谐振特性，然而，发现MSN在EFISH作用下， Pavel Belov教授课题组展示了一种共 振金属-半导体单颗粒结构(MSN)，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息： 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，与MSN的实验变化一致（2.48-4.0），将吸收能量直接定位在金属-半导体界面上；(2)在损伤阈值以下选择适当的激励方式；(3)电场探针，达到108V/m。

由于所产生的静电场Edc与MSN半导体纳米结构的三阶极化率(3)相互作用对有效二阶极化率(2)eff有调制作用，可观察到电场诱导二次谐波产生（electrical-field-induced second harmonic generation，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，因此，估算出这个纳米天线中全光激励产生的静电场值高达108V/m，