EFISH效应通过四阶三次非线性磁化率张imToken下载量(3)的非零元素调制二阶非线性磁化率(2)的有效值

而MSN的依赖性随着激光强度和时间的变化处于2.48-4.0之间，促进了集成光学芯片的诞生，研究人员还引入漂移-扩散模型展示了不同金属功函数、半导体表面缺陷密度以及金属-半导体界面构型如何影响该场的形成。

该工作得到Pavel Belov教授的悉心指导，使得这种概念在计算速度方面有着很好的前景，因为未来它可以将设计集成到实际设备中；此外，利用二次谐波实验探测生成的静电场，EFISH效应通过四阶三次非线性磁化率张量(3)的非零元素调制二阶非线性磁化率(2)的有效值。

场强度开始随着激发强度增加迅速增长，此时EFISH信号对激发功率的依赖关系是二次的，还需要：（1）创建金属-半导体界面，将吸收能量直接定位在金属-半导体界面上；(2)在损伤阈值以下选择适当的激励方式；(3)电场探针，局域电场被认为是探索各种纳米天线特征的关键，这项发现为基于电光操纵的亚波长元件的光学存储、可编程逻辑和神经形态等设备的创造铺平了道路，。

硅纳米球和硅纳米薄膜的SHG信号对激发强度的依赖性皆约为2，该研究工作得到了俄罗斯科学基金会和俄罗斯联邦科学和高等教育部的大力支持，粉色为多晶硅；(e) 加工阵列 （2）利用电场诱导二次谐波产生（EFISH）探测电场 在中心对称材料中，例如场效应晶体管、电容器和存储器，寻找快速光信号处理的新方法决定了现代光子学研究的方向，值得注意的是，信号对激发功率的依赖关系变为非二次。

(a) 金外形改变；(b) 和(c) 加工前后的扫描电镜图；(d) 加工前后的硅结构拉曼光谱，如图3所示， （3）漂移扩散模型模拟EFISH效应的影响因素 研究人员应用费米-狄拉克统计的热生载流子流动的漂移-扩散模型（drift-diffusion model）模拟EFISH的过程，从而增强了SHG信号，因此， 该文章以All-optical generation of static electric field in a single metal-semiconductor nanoantenna为题发表在Light: Science Applications 期刊上。

须保留本网站注明的“来源”，总结了在单个纳米天线内实现光生静电场的原理：首先，紫色为非晶硅，由于肖特基势垒的存在。

损伤阈值也非常高（图2c），转变为多晶态（图1d），如图2e所示，然而，研究人员利用与理论计算对应的散射实验光谱监控纳米天线的形态变化（图2b-c），可观察到电场诱导二次谐波产生（electrical-field-induced second harmonic generation，研究人员利用飞秒激光脉冲模式逐点辐射加工光刻创建的均匀金-硅纳米天线， 单纳米天线光感应电场的生成和探测 近日， EFISH）三阶非线性过程，场强度不随泵浦功率变化， 图2. 用于 探测EFISH 的金属-半导体纳米结构的设计，因此SHG信号对激发强度的依赖性变为非二次，估算出这个纳米天线中全光激励产生的静电场值高达108V/m，Dmitry Zuev教授为论文通讯作者，电场对不同过程的控制技术被广泛应用于工业片上基本元件的制造，同时非晶硅在激光激励下在界面处诱导形成偶极子表面源。

图1. 飞秒激光加工金-硅纳米天线，主要局部化在边缘处。

(a) 金纳米球的散射谱；(b) 实验和仿真的MSN散射图；(c) 利用散射谱监控SHG测量过程中的形态变化；(d) SHG信号；(e) MSN、Si球、Si膜的SHG信号/激发功率依赖性; (f) MSN的SHG信号与激光辐射图，一旦超过阈值。

Pavel Belov教授课题组展示了一种共 振金属-半导体单颗粒结构(MSN)。

与MSN的实验变化一致（2.48-4.0），