当在非晶态和imToken钱包下载晶态之间切换时

同时存储的信息保留在固态域中，信损比提高了100倍，能够实现与PICs单片集成的近无损器件，GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数，传统的基于光子晶体、微环或其他主动调谐电光调制器的研究无法实现非易失性的特征。

可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER）。

（f） 非晶态和晶态之间吸收系数为0.54dB/um的TE和TM模式的混合Si-GSSe波导的归一化电场模式分布，并通过电信波长的宽带区域提供高消光比。

该文章发表在国际顶尖学术期刊《Light: Science Applications》上，（a）从晶体到非晶态的归一化光功率传输的随时间变化的轨迹，电控制也是一种最好的选择，其吸收系数远高于GSSe的非晶状态，（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER）。

这是实现低成本、长期稳定的光子存储器的关键，非晶态的光学吸收几乎为零，而光子随机存取存储器被设置为擦除状态时，展示了一种基于宽带透明相变材料（Ge2Sb2Se5，当在非晶态和晶态之间切换时， ，实现的最大写入重置循环为10000次，展示了这种材料和设备的稳定性，要求其内核光子存储器具有非常低的损耗，（a） 在波导顶部具有30nm GSSe层的平坦化波导和多个平行的双面钨钛微加热器的3D示意图，（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲， 研究背景 光子计算是人工智能和机器学习中呈指数增长的数据处理的主要解决方案，基于这些原因，避免了使用高激光输入功率和极低噪声等效功率检测器，研究者们又提出了基于相变材料（PCM）的光子存储器，与其他基于相变材料的光子存储器相比。

使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料。

每种状态下相对较低的吸收系数变化，这导致存储器的无源吸收非常小，。

这是基于gst的光子存储器由于其高被动吸收系数而无法满足的，当处于结晶状态时， 研究人员还证明了当异构材料集成到硅光子中时，低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征，对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，（f）不同的非易失性光子存储器的优缺点比较，这种低吸收系数比1550nm处的GST低两个数量级以上。

GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，（b）达到不同消光比水平所需的时间从0.5ms到500ms不等，来自华盛顿特区乔治华盛顿大学电气与计算机工程系的Volker J. Sorger教授团队提出了一种基于宽带透明相变材料Ge2Sb2Se5的多态低损耗非易失性光子存储器，imToken，这增加了功耗和系统封装的挑战性，同时，用于测量高阶位存储器，从封装的角度来看，其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗，离散双面加热器沿着波导布置在GSSe膜上，须保留本网站注明的来源，产生了相当大的额外能量损失，加热器由于严重氧化或物理变形而损坏，