现代设备的技术进步趋向于微型化以及从电信号操作向光信号操作的转变,一旦实现, ,可通过一些光学过程。
潜在光学芯片的构建元件(单个共振纳米天线)可以在皮秒和飞秒时间尺度进行调制,由于所产生的静电场Edc与MSN半导体纳米结构的三阶极化率(3)相互作用对有效二阶极化率(2)eff有调制作用,感应电场在半导体的体积上是不均匀的,因此,改变金属-半导体纳米天线界面(图1a-e),
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