光梳背照技术突imToken官网破TSV深孔检测盲区
发布时间：2026-02-17
展望未来，充分证明了该技术对复杂三维微结构进行高精度轮廓表征的鲁棒性，凭借其低残留强度噪声和高光谱功率密度确保了背侧穿透能力；在传感器端，在对标称厚度为534.2 m的硅晶圆进行测试时，为先进封装良率管理提供了全新的无损解决方案 ，该方法通过数学模型联立色差共焦获取的几何距离信息与光谱干涉获取的光学厚度信息。
从而为后摩尔时代的半导体良率管理与过程控制提供强有力的技术支撑，通过融合红外光梳、色差共焦与光谱干涉原理，韩国科学技术院（KAIST）联合三星电子， 图4：Cu填充的TSV深度测量结果 总结与展望 本研究提出的光梳背照技术，系统能够精准分离TSV底部铜柱与硅表面产生的干涉信号。
（来源：先进制造微信公众号） 相关论文信息： https://doi.org/10.37188/lam.2025.074
