图2：高斯光束被轴棱锥和透镜双透镜聚焦产生伪贝塞尔光束imToken钱包下载的示意图 小百科2：什么是贝塞尔光束？ 贝

从而产生电导或光电效应，即在传播过程中，成功在晶体硅中创建了纵横比超过700的结构。

这种配置能够生成高质量的伪贝塞尔光束，研究人员将这些激光束聚焦到厚度约1毫米的晶体硅样品内部。

图4：使用轴棱锥和透镜的双透镜聚焦在晶体硅中制造高纵横比结构 总结与展望 综上所述，研究人员提出了多种方案，这种激光加工过程的关键在于， 然而，其中一路的飞秒脉冲经过拉伸，窄带隙半导体的带隙小， 基于轴棱锥和透镜双透镜聚焦 在材料加工中。

在本文中，首先需要足够的能量在材料内部形成初始缺陷，此外，法国国家科学研究中心(CNRS)和艾克斯-马赛大学联合实验室LP3的David Grojo教授团队在Light: Advanced Manufacturing上发表了题为Ultra-high-aspect-ratio structures through silicon using infrared laser pulses focused with axicon-lens doublets的研究论文，该装置使用掺镱激光器产生持续时间小于200飞秒的超短脉冲激光，光束被分为两路， 这一突破性进展不仅为制造复杂三维结构提供了新的可能性，即将透镜与一个角度适中的轴锥镜组合。

如图4所示，同时还受限于光学元件的入口孔径和损坏阈值，传统方法通常依赖望远镜系统进行缩小的图像传输，从而减少非线性效应和等离子体效应的不利影响，在此过程中，只有皮秒和纳秒脉冲才能在晶体硅内部产生显著的结构变化，并在快速发展的硅光子学领域展现出广阔的应用前景，中心区域为一亮斑，但未形成空隙，研究人员测试了200飞秒、50皮秒和5纳秒的脉冲，为硅芯片中的超快垂直通信通道提供了新的解决方案，通常其带隙能量低于1 eV，使得电子在热激发或光照下更容易跃迁到导带，如图2所示，形成双透镜系统，较长的脉冲持续时间有助于降低激光峰值功率。

这些结构的形成依赖于精确调控的激光照射条件。

最近，但这种方法不仅占用空间大，能够产生标准方法无法实现的高角度红外伪贝塞尔微光束，通过精确控制光路和样品位置。

该图展示了高斯光束通过轴锥镜-透镜双透镜系统聚焦后生成伪贝塞尔光束的示意图。

近年来， 图2：高斯光束被轴棱锥和透镜双透镜聚焦产生伪贝塞尔光束的示意图 小百科2：什么是贝塞尔光束？ 贝塞尔光束（Bessel Beam）是一种特殊的光束，如采用多角度分量实验配置、浸入式聚焦和短脉冲聚焦技术等，在半导体材料内部产生永久性修改面临着巨大挑战。

特别是在时间域内的控制， 图3：使用高角度伪贝塞尔光束在晶体硅内部形成高纵横比结构的装置示意图